Prezentare

Buna! Sunt Mihai Robert. Locuiesc in Targoviste si sunt elev in Colegiul Militar Liceal " Dimitrie Cantemir" - Breaza. Imi place voleiul iar in timpul liber joc fotbal.
Acest blog creat de mine, este un blog folosit in scop educational.

Despre memoria flash

 Ce este Memoria Flash?

 
Memoria (de tip) flash este o memorie electronică, de calculator (sau alt aparat cu memorie), nevolatilă (în care datele persistă și fără alimentare cu energie electrică) și care la nevoie poate fi ștearsă și reprogramată (reîncărcată cu date). „Flash” mai desemnează și tehnologia folosită la fabricarea memoriilor de acest tip. Memoriile flash sunt memorii cu acces aleator.
Memoria flash (uneori numită și „Flash RAM”) este un tip de memorie nevolatilă cu alimentare constantă ale cărei blocuri de memorie pot fi șterse și reprogramate. Este o variantă a memoriei de tip EEPROM („Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory”), care, spre deosebire de memoria flash, este ștearsă și programată la nivel de bit, ceea ce o face mai lentă.
Numele de „memorie flash” vine de la faptul că cipul este organizat in așa fel încât o operație de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „flash”. Ștergerea este cauzată de fenomenul tunelare Fowler-Nordheim, prin care electronii străpung un material dielectric fin cu scopul de a înlătura sarcina din poarta flotantă asociată fiecărei celule de memorie.
Memoria flash este folosită des pentru a memora cod de control asemănător BIOS-ului calculatoarelor personale. Când informația din BIOS trebuie modificată memoria poate fi scrisă la nivel de bloc, ceea ce o face mai ușor de modificat. In schimb, flash–ul nu este folosit ca RAM („Random Acces Memory”), deoarece RAM-ul este adresat la nivel de bait.

Clasificarea memoriilor flash

  
  Există două tipuri de memorie flash: NOR (Not Or) și NAND (Not And). Denumirile se referă la tipul d e poartă logică folosită pentru celulele de stocare. NOR înseamnă: adevărat numai dacă ambele intrări sunt false, iar NAND înseamnă: fals numai dacă ambele intrări sunt adevărate. Memoria flash de tip NOR (NOR flash) a fost introdusă de compania Intel în anul 1988, în timp ce NAND de către compania Toshiba în 1989. Cele doua cipuri lucrează in mod diferit. Cu NAND se pot realiza capacități de stocare mult mai mari decât cu NOR. Tehnologia NAND și-a găsit utilitatea în dispozitive care au nevoie de capacitate mare de stocare a datelor și în plus stergerea și programarea să se facă frecvent. Playerele MP3, camerele foto digitale și stick–urile USB folosesc NAND. NOR, în schimb, este mai rapid dar și mai scump. Un scop important al producătorilor de NAND este reducerea costului pe bit și mărirea capacității unui cip astfel încât să poată concura cu dispozitive de stocare magnetice ca de ex. discurile dure. Noile tehnologii NAND au dus la un cip mai mic, au micșorat voltajul dar au mărit ciclul de scriere–citire.
 Memoria flash tip NOR are o speranță de viață de 10.000 la 100.000 de cicluri de scriere-ștergere. Deși are viteze mici de scriere și de ștergere, permite un acces aleatoriu pentru citire și scriere, făcând-o adecvată pentru stocarea datelor care nu necesită o actualizare frecventă.
Este important că la livrarea circuitelor NOR se garantează că toate locațiile de memorie sunt „bune” și au același număr garantat de cicluri de ștergere-programare. Mai mult, în faza de fabricație se prevăd un număr destul de mare de locații „de rezervă”, care sunt utilizate pentru repararea prin înlocuire a eventualelor locații defecte.

  
 Memoria flash tip NAND are viteze de scriere și de ștergere mai mari, o mai mare densitate de memorie, un cost mai mic pe bit și o speranță de viață mult mai lungă, suportând de aproximativ 10 ori mai multe cicluri de scriere-ștergere decât memoria flash tip NOR. Dezavantajul constă în interfața de intrare-ieșire care permite numai un acces secvențial la date.
 La un circuit NAND Flash, producătorul NU garantează că toate locațiile de memorie sunt „bune” și au același număr garantat de cicluri de ștergere-programare. De asemenea se realizează un număr foarte mic de locații de rezervă utilizabile la repararea eventualelor locații cu defecte, rezultând o economie în plus. La un astfel de circuit trebuie să existe un mecanism de detecție a erorilor și de gestionare al locațiilor defecte, cipul putând fi livrat, din considerente economice, cu locații defecte din fabrică! Mai mult chiar, este posibil ca unele celule de memorie să-și epuizeze posibilitățile de ștergere-programare mai devreme decât altele, pe parcursul utilizării circuitului.
 Funcționarea unui NAND Flash este similară altor dispozitive de intrare–ieșire, cum ar fi și discul dur pe care acesta dorește să-l înlocuiască. Datorită acestei interfețe indirecte un sistem de calcul nu poate executa codul memorat într-un NAND Flash decât prin intermediul unui controler de memorie sau al unei mașini secvențiale dedicate.
 Din punct de vedere practic, al proiectantului de sistem și al utilizatorului, cea mai mare diferență între cele două categorii de circuite este interfața utilizator. Un circuit NOR Flash este foarte asemănător din punct de vedere al interfeței cu un circuit EPROM (sau SRAM), având linii (magistrale) de adrese și date separate. El poate fi mapat cu ușurință, ]n mod direct, în spațiul de memorie al sistemului de calcul. Astfel, sistemul de calcul poate citi în mod direct cod memorat într-un NOR Flash și îl poate executa. 
 Memoria NOR suportă acces aleatoriu pe un bait, ceea ce permite sistemului să ia datele și să le execute direct de pe cip în același fel cum un PC ia datele din memoria principală. NOR flash are o interfață SRAM ce conține suficienți pini de adresă pentru a mapa întregul cip, dând astfel acces către fiecare bite.